Антава

SHINDENGEN

Транзистор P60B4SN-5071

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
EETMOS3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
180 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяP60B4SN-5071
ПроизводительSHINDENGEN
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияEETMOS3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current60 A
Pulsed drain current180 A
Рассеиваемая мощность62.5 W
КорпусFB (TO252AA)
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge59nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 60A; Idm: 180A; 62.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.