SHINDENGEN
Транзистор P5F60HP2-5600
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- Hi-PotMOS2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 5 A
- Pulsed drain current
- 20 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 26 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%129,17 ₽
Сумма · с НДС 22%129,17 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 129,17 ₽ | |
| от 5 | 116,63 ₽ | |
| от 25 | 102,95 ₽ | |
| от 100 | 93,83 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | P5F60HP2-5600 |
|---|---|
| Производитель | SHINDENGEN |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | Hi-PotMOS2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 5 A |
| Pulsed drain current | 20 A |
| Power dissipation | 65 W |
| Корпус | FTO-220AG (SC91) |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 1.4 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 15nC |
| Kind of package | bulk |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.