Антава

SHINDENGEN

Транзистор P5F50HP2F-5600

P5F50HP2F-5600
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Hi-PotMOS2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяP5F50HP2F-5600
ПроизводительSHINDENGEN
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHi-PotMOS2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current5 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation52.5 W
КорпусFTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.65 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge10.5nC
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A

Документация

Документ производителя