Антава

SHINDENGEN

Транзистор P56LA4SN-5070

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
EETMOS3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
56 A
Pulsed drain current
168 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяP56LA4SN-5070
ПроизводительSHINDENGEN
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияEETMOS3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current56 A
Pulsed drain current168 A
Рассеиваемая мощность99 W
КорпусLA
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA

Документация

Документы пока не предоставлены.