Антава

SHINDENGEN

Транзистор P4B60HP2F-5071

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Hi-PotMOS2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
4A
Pulsed drain current
16A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяP4B60HP2F-5071
ПроизводительSHINDENGEN
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHi-PotMOS2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current4A
Pulsed drain current16A
Power dissipation70W
КорпусFB (TO252AA)
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.9Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 70W

Документация

Документы пока не предоставлены.