SHINDENGEN

Транзистор P4B40HP2-5071

FB (TO252AA)Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400 V
Drain current: 4 A
Pulsed drain current: 16 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	P4B40HP2-5071
Производитель	SHINDENGEN
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	Hi-PotMOS2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	400 V
Drain current	4 A
Pulsed drain current	16 A
Рассеиваемая мощность	35 W
Корпус	FB (TO252AA)
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	1.9 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	6.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W

Документация

Документы пока не предоставлены.