Антава

SHINDENGEN

Транзистор P40F12SN-5600

P40F12SN-5600
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
EETMOS3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
160 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 82 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%229,45 ₽

Сумма · с НДС 22%229,45 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1229,45 ₽
от 5206,88 ₽
от 25182,43 ₽
от 100163,62 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяP40F12SN-5600
ПроизводительSHINDENGEN
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияEETMOS3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current40 A
Pulsed drain current160 A
Power dissipation51 W
КорпусFTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge117nC
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W

Документация

Документ производителя