Антава

SHINDENGEN

Транзистор P30B10EL-5071

P30B10EL-5071
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
EETMOS2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
90 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 119 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%131,06 ₽

Сумма · с НДС 22%393,18 ₽

От 3 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 3131,06 ₽
от 25117,20 ₽
от 100103,71 ₽
от 50093,08 ₽
от 300086,81 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяP30B10EL-5071
ПроизводительSHINDENGEN
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияEETMOS2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current30 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation44 W
КорпусFB (TO252AA)
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W

Документация

Документ производителя