SHINDENGEN

Транзистор P1B52HP2-5071

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 520 V
Drain current: 1 A
Pulsed drain current: 4 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	P1B52HP2-5071
Производитель	SHINDENGEN
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	Hi-PotMOS2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	520 V
Drain current	1 A
Pulsed drain current	4 A
Power dissipation	35 W
Корпус	FB (TO252AA)
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	7.2 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	4.3nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 520V; 1A; Idm: 4A; 35W

Документация

Документы пока не предоставлены.