Антава

SHINDENGEN

Транзистор P12F60HP2-5600

P12F60HP2-5600
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Hi-PotMOS2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
48 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 262 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%195,59 ₽

Сумма · с НДС 22%195,59 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1195,59 ₽
от 5174,91 ₽
от 25154,22 ₽
от 100150,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяP12F60HP2-5600
ПроизводительSHINDENGEN
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHi-PotMOS2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current12 A
Pulsed drain current48 A
Power dissipation90 W
КорпусFTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance670 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge26.5nC
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W

Документация

Документ производителя