Антава

NEXPERIA

Транзистор NXV65UPR

NXV65UPR
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.3 A
Pulsed drain current
-8.4 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 036 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%69,14 ₽

Сумма · с НДС 22%69,14 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 169,14 ₽
от 555,31 ₽
от 1045,71 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNXV65UPR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.3 A
Pulsed drain current-8.4 A
Power dissipation0.34 W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A

Документация

Документ производителя