Антава

ONSEMI

Транзистор NXV08A170DB2

Фото уточняется
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
transistor/transistor
Drain-source voltage
80V
Drain current
200A
Корпус
APM12-CBA
Topology
MOSFET half-bridge
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNXV08A170DB2
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuretransistor/transistor
Drain-source voltage80V
Drain current200A
КорпусAPM12-CBA
TopologyMOSFET half-bridge
Electrical mountingTHT — в отверстия
On-state resistance2.4mΩ
Gate-source voltage±20V
Kind of packagein-tray
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; transistor/transistor; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V

Документация

Документы пока не предоставлены.