Антава

ONSEMI

Термистор NXH800H120L7QDSG

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
IGBT half-bridge, NTC thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
800 A
Корпус
PIM11
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNXH800H120L7QDSG
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
TopologyIGBT half-bridge, NTC thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current800 A
КорпусPIM11
Applicationfor UPS, Inverter
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.6kA
ТехнологияSiC
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge,NTC thermistor

Документация

Документы пока не предоставлены.