ONSEMI
Транзистор NXH450B100H4Q2F2PG
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- SiC diode/transistor
- Max. off-state voltage
- 1 kV
- Collector current
- 450 A
- Application
- for UPS, Inverter
- Electrical mounting
- Press-Fit
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | NXH450B100H4Q2F2PG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | SiC diode/transistor |
| Max. off-state voltage | 1 kV |
| Collector current | 450 A |
| Application | for UPS, Inverter |
| Electrical mounting | Press-Fit |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Технология | SiC |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.