ONSEMI
Транзистор NXH240B120H3Q1P1G
Фото уточняется
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- SiC diode/transistor
- Max. off-state voltage
- 1.2kV
- Collector current
- 92A
- Корпус
- PIM32
- Application
- for UPS, Inverter
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | NXH240B120H3Q1P1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | SiC diode/transistor |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Collector current | 92A |
| Корпус | PIM32 |
| Application | for UPS, Inverter |
| Electrical mounting | Press-Fit |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 276A |
| Technology | SiC |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 92A; PIM32
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.