Антава

ONSEMI

Транзистор NXH240B120H3Q1P1G

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
SiC diode/transistor
Max. off-state voltage
1.2kV
Collector current
92A
Корпус
PIM32
Application
for UPS, Inverter

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNXH240B120H3Q1P1G
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structureSiC diode/transistor
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current92A
КорпусPIM32
Applicationfor UPS, Inverter
Electrical mountingPress-Fit
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current276A
TechnologySiC
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 92A; PIM32

Документация

Документы пока не предоставлены.