Антава

ONSEMI

Транзистор NXH160T120L2Q2F2S1G

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
3-level inverter SPLIT-TNPC
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
181 A
Корпус
PIM56
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNXH160T120L2Q2F2S1G
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topology3-level inverter SPLIT-TNPC
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current181 A
КорпусPIM56
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current543 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; 3-level inverter SPLIT-TNPC

Документация

Документы пока не предоставлены.