Антава

ONSEMI

Транзистор NXH030F120M3F1PTG

Фото уточняется
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
transistor/transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
38 A
Корпус
PIM22
Topology
H-bridge
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNXH030F120M3F1PTG
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuretransistor/transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current38 A
КорпусPIM22
TopologyH-bridge
Electrical mountingPress-in PCB
On-state resistance68.2 mΩ
Pulsed drain current115 A
Power dissipation100 W
ТехнологияSiC
Gate-source voltage-10...22 V
Kind of packagein-tray
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; transistor/transistor; 1.2kV; 38A; PIM22; Press-in PCB

Документация

Документы пока не предоставлены.