Антава

ONSEMI

Транзистор NXH011T120M3F2PTHG

Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
transistor/transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
91 A
Корпус
PIM29
Topology
3-level inverter TNPC
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNXH011T120M3F2PTHG
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuretransistor/transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current91 A
КорпусPIM29
Topology3-level inverter TNPC
Electrical mountingPress-in PCB
On-state resistance28.1 mΩ
Pulsed drain current273 A
Рассеиваемая мощность272 W
ТехнологияSiC
Gate-source voltage-10...22 V
Kind of packagein-tray
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; transistor/transistor; 1.2kV; 91A; PIM29; Press-in PCB

Документация

Документы пока не предоставлены.