Антава

ONSEMI

Транзистор NXH010P90MNF1PTG

Фото уточняется
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
transistor/transistor
Drain-source voltage
900 V
Drain current
154 A
Корпус
PIM18
Topology
MOSFET half-bridge
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNXH010P90MNF1PTG
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuretransistor/transistor
Drain-source voltage900 V
Drain current154 A
КорпусPIM18
TopologyMOSFET half-bridge
Electrical mountingPress-in PCB
On-state resistance11.61 mΩ
Pulsed drain current308 A
Power dissipation328 W
ТехнологияSiC
Gate-source voltage-8...18 V
Kind of packagein-tray
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; transistor/transistor; 900V; 154A; PIM18; Press-in PCB

Документация

Документы пока не предоставлены.