Антава

ONSEMI

Транзистор NXH010P120M3F1PG

Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
transistor/transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
105 A
Корпус
PIM18
Topology
MOSFET half-bridge
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNXH010P120M3F1PG
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuretransistor/transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current105 A
КорпусPIM18
TopologyMOSFET half-bridge
Electrical mountingPress-in PCB
On-state resistance24.5 mΩ
Pulsed drain current316 A
Power dissipation272 W
ТехнологияSiC
Gate-source voltage-10...22 V
Kind of packagein-tray
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; transistor/transistor; 1.2kV; 105A; PIM18; Press-in PCB

Документация

Документы пока не предоставлены.