Антава

ONSEMI

Транзистор NXH007F120M3F2PTHG

Фото уточняется
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
transistor/transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
149 A
Корпус
PIM34
Topology
H-bridge
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNXH007F120M3F2PTHG
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuretransistor/transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current149 A
КорпусPIM34
TopologyH-bridge
Electrical mountingPress-in PCB
On-state resistance15.9 mΩ
Pulsed drain current447 A
Power dissipation353 W
ТехнологияSiC
Gate-source voltage-10...22 V
Kind of packagein-tray
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; transistor/transistor; 1.2kV; 149A; PIM34; Press-in PCB

Документация

Документы пока не предоставлены.