Антава

ONSEMI

Транзистор NXH006P120MNF2PTG

Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
transistor/transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
304 A
Корпус
PIM36
Topology
MOSFET half-bridge
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNXH006P120MNF2PTG
ПроизводительONSEMI
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuretransistor/transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current304 A
КорпусPIM36
TopologyMOSFET half-bridge
Electrical mountingPress-in PCB
On-state resistance7.28 mΩ
Pulsed drain current912 A
Рассеиваемая мощность950 W
ТехнологияSiC
Gate-source voltage-15...25 V
Kind of packagein-tray
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; transistor/transistor; 1.2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB

Документация

Документы пока не предоставлены.