Антава

NEXPERIA

Транзистор NX7002BKXBZ

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.33 A
Pulsed drain current
0.8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNX7002BKXBZ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.33 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation285 mW
КорпусDFN1010B-6, SOT1216
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 330mA; Idm: 0.8A

Документация

Документы пока не предоставлены.