NEXPERIA

Транзистор NX7002BKMYL

DFN1006-3, SOT883Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 0.2 A
Pulsed drain current: 0.9 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NX7002BKMYL
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	0.2 A
Pulsed drain current	0.9 A
Power dissipation	0.35 W
Корпус	DFN1006-3, SOT883
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	5.7 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	1nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.9A; 350mW

Документация

Документ производителя