NEXPERIA

Транзистор NX7002BKHH

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 0.35 A
Pulsed drain current: 1.4 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NX7002BKHH
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	0.35 A
Pulsed drain current	1.4 A
Power dissipation	0.38 W
Корпус	DFN0606-3, SOT8001
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2.8 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.55nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.4A; 380mW

Документация

Документы пока не предоставлены.