NEXPERIA
Транзистор NX3020NAKV,115
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 0.12 A
- Pulsed drain current
- 0.8 A
- Power dissipation
- 375 mW
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 765 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%87,71 ₽
Сумма · с НДС 22%87,71 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 87,71 ₽ | |
| от 10 | 66,93 ₽ | |
| от 25 | 54,72 ₽ | |
| от 100 | 40,42 ₽ | |
| от 250 | 32,22 ₽ | |
| от 500 | 24,22 ₽ | |
| от 1000 | 21,93 ₽ | |
| от 4000 | 20,21 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NX3020NAKV,115 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 0.12 A |
| Pulsed drain current | 0.8 A |
| Power dissipation | 375 mW |
| Корпус | SOT666 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 9.2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.44nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.