NEXPERIA
Транзистор NX3008PBKW,115
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -200 mA
- Power dissipation
- 0.26 W
- Корпус
- SC70, SOT323
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 230 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%43,69 ₽
Сумма · с НДС 22%43,69 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 43,69 ₽ | |
| от 10 | 31,53 ₽ | |
| от 50 | 21,46 ₽ | |
| от 100 | 18,10 ₽ | |
| от 300 | 14,04 ₽ | |
| от 500 | 12,59 ₽ | |
| от 1000 | 10,98 ₽ | |
| от 3000 | 9,10 ₽ | |
| от 6000 | 8,22 ₽ | |
| от 9000 | 7,79 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NX3008PBKW,115 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -200 mA |
| Power dissipation | 0.26 W |
| Корпус | SC70, SOT323 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 4.1 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.72nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.