Антава

NEXPERIA

Транзистор NX2301P,215

NX2301P,215
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-2A
Power dissipation
0.4W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNX2301P,215
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-2A
Power dissipation0.4W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.27Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителя