Антава

ONSEMI

Транзистор NVTYS010N04CLTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
43 A
Pulsed drain current
162 A
Power dissipation
16 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVTYS010N04CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current43 A
Pulsed drain current162 A
Power dissipation16 W
КорпусLFPAK33
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 162A; 16W; LFPAK33

Документация

Документы пока не предоставлены.