Антава

ONSEMI

Транзистор NVTYS007N04CLTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
54 A
Pulsed drain current
215 A
Рассеиваемая мощность
19 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVTYS007N04CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current54 A
Pulsed drain current215 A
Рассеиваемая мощность19 W
КорпусLFPAK33
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 54A; Idm: 215A; 19W; LFPAK33

Документация

Документы пока не предоставлены.