Антава

ONSEMI

Транзистор NVTR01P02LT1G

NVTR01P02LT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.3 A
Power dissipation
0.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVTR01P02LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.3 A
Power dissipation0.4 W
КорпусSOT23
On-state resistance0.22 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.1nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 400mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.