Антава

ONSEMI

Транзистор NVTJD4001NT1G

NVTJD4001NT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.18 A
Power dissipation
0.272 W
Корпус
SC70-6, SC88, SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 652 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%98,77 ₽

Сумма · с НДС 22%98,77 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 198,77 ₽
от 1062,30 ₽
от 5043,12 ₽
от 10037,42 ₽
от 50028,49 ₽
от 100026,02 ₽
от 150024,50 ₽
от 300022,98 ₽
от 600021,65 ₽
от 900020,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNVTJD4001NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.18 A
Power dissipation0.272 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W

Документация

Документ производителя