ONSEMI

Транзистор NVTFWS9D6P04M8LTAG

WDFNW8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -64 A
Pulsed drain current: -311 A
Power dissipation: 38 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVTFWS9D6P04M8LTAG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-64 A
Pulsed drain current	-311 A
Power dissipation	38 W
Корпус	WDFNW8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	9.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	34.6nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -64A; Idm: -311A; 38W; WDFNW8

Документация

Документы пока не предоставлены.