Антава

ONSEMI

Транзистор NVTFWS027N10MCLTAG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
28 A
Pulsed drain current
119 A
Рассеиваемая мощность
23 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVTFWS027N10MCLTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current28 A
Pulsed drain current119 A
Рассеиваемая мощность23 W
КорпусWDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance26 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 119A; 23W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.