Антава

ONSEMI

Транзистор NVTFWS010N10MCLTAG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
57.8 A
Pulsed drain current
232 A
Power dissipation
38.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVTFWS010N10MCLTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current57.8 A
Pulsed drain current232 A
Power dissipation38.9 W
КорпусWDFNW8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57.8A; Idm: 232A; 38.9W

Документация

Документы пока не предоставлены.