Антава

ONSEMI

Транзистор NVTFS6H860NLWFTAG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
122 A
Рассеиваемая мощность
21 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVTFS6H860NLWFTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current30 A
Pulsed drain current122 A
Рассеиваемая мощность21 W
КорпусWDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; Idm: 122A; 21W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.