Антава

ONSEMI

Транзистор NVTFS6H854NTAG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
44 A
Pulsed drain current
175 A
Power dissipation
34 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVTFS6H854NTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current44 A
Pulsed drain current175 A
Power dissipation34 W
КорпусWDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance14.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 175A; 34W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.