ONSEMI

Транзистор NVTFS6H854NLWFTAG

WDFN8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 41 A
Pulsed drain current: 182 A
Power dissipation: 27 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVTFS6H854NLWFTAG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	41 A
Pulsed drain current	182 A
Power dissipation	27 W
Корпус	WDFN8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	13.4 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	17nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 182A; 27W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.