ONSEMI
Транзистор NVTFS5116PLWFTAG
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -14 A
- Pulsed drain current
- -126 A
- Рассеиваемая мощность
- 10 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%318,99 ₽
Сумма · с НДС 22%318,99 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 318,99 ₽ | |
| от 10 | 184,38 ₽ | |
| от 50 | 171,48 ₽ | |
| от 100 | 165,95 ₽ | |
| от 200 | 158,57 ₽ | |
| от 500 | 149,35 ₽ | |
| от 750 | 145,66 ₽ | |
| от 1500 | 141,98 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NVTFS5116PLWFTAG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -14 A |
| Pulsed drain current | -126 A |
| Рассеиваемая мощность | 10 W |
| Корпус | WDFNW8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 52 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 25nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFNW8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.