ONSEMI

Транзистор NVTFS5116PLTWG

WDFN8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -14 A
Pulsed drain current: -126 A
Power dissipation: 10 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVTFS5116PLTWG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-14 A
Pulsed drain current	-126 A
Power dissipation	10 W
Корпус	WDFN8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	52 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	25nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.