ONSEMI
Транзистор NVTFS5116PLTAG
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -10 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.6 W
- Корпус
- WDFN8
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 770 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%285,80 ₽
Сумма · с НДС 22%285,80 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 285,80 ₽ | |
| от 10 | 159,02 ₽ | |
| от 50 | 131,72 ₽ | |
| от 100 | 120,36 ₽ | |
| от 200 | 109,37 ₽ | |
| от 250 | 105,71 ₽ | |
| от 500 | 97,83 ₽ | |
| от 1000 | 95,81 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NVTFS5116PLTAG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -10 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.6 W |
| Корпус | WDFN8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 52 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.