Антава

ONSEMI

Транзистор NVTFS4C02NTAG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
28.3 A
Pulsed drain current
500 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVTFS4C02NTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current28.3 A
Pulsed drain current500 A
Power dissipation1.6 W
КорпусWDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28.3A; Idm: 500A; 1.6W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.