Антава

ONSEMI

Транзистор NVS4409NT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25V
Drain current
0.75A
Pulsed drain current
3A
Power dissipation
0.28W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVS4409NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25V
Drain current0.75A
Pulsed drain current3A
Power dissipation0.28W
КорпусSC70
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.35Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 750mA; Idm: 3A; 280mW; SC70

Документация

Документы пока не предоставлены.