Антава

ONSEMI

Транзистор NVS4001NT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.27 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.33 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVS4001NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.27 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.33 W
КорпусSC70
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 270mA; Idm: 0.8A; 330mW; SC70

Документация

Документы пока не предоставлены.