Антава

ONSEMI

Транзистор NVR1P02T1G

NVR1P02T1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-1A
Pulsed drain current
-2.67A
Power dissipation
0.4W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVR1P02T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-1A
Pulsed drain current-2.67A
Power dissipation0.4W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.18Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -2.67A; 400mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.