Антава

ONSEMI

Транзистор NVMYS7D3N04CLTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
52 A
Pulsed drain current
269 A
Рассеиваемая мощность
12 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMYS7D3N04CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current52 A
Pulsed drain current269 A
Рассеиваемая мощность12 W
КорпусLFPAK56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; Idm: 269A; 12W; LFPAK56

Документация

Документы пока не предоставлены.