Антава

ONSEMI

Транзистор NVMYS2D9N04CLTWG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
110A
Pulsed drain current
740A
Power dissipation
34W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMYS2D9N04CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current110A
Pulsed drain current740A
Power dissipation34W
КорпусLFPAK56
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 740A; 34W; LFPAK56

Документация

Документы пока не предоставлены.