Антава

ONSEMI

Транзистор NVMYS2D2N06CLTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
185 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
67 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMYS2D2N06CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current185 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation67 W
КорпусLFPAK56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge69nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 900A; 67W; LFPAK56

Документация

Документы пока не предоставлены.