Антава

ONSEMI

Транзистор NVMYS1D2N04CLTWG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
258 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
67 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMYS1D2N04CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current258 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation67 W
КорпусLFPAK56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge109nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 258A; Idm: 900A; 67W; LFPAK56

Документация

Документы пока не предоставлены.