Антава

ONSEMI

Транзистор NVMYS021N10MCLTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
31 A
Pulsed drain current
159 A
Power dissipation
24 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMYS021N10MCLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current31 A
Pulsed drain current159 A
Power dissipation24 W
КорпусLFPAK56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; Idm: 159A; 24W; LFPAK56

Документация

Документы пока не предоставлены.